SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
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0.54 |
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14 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.54-94,半导体分立器件,CS 0532型珅化钱微波功率场效应,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0532 GaAs microwave,power field effect transistor,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电孑エ业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS 0532型珅化镣微波功率场效应,晶体管详细规范,SJ 50033.54-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CSQ532 CaAs microwave,Power field effect transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0532型神化镇微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GJB 33- 85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试脸方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和除层,引出端材料应为可伐,表面涂层应为金,3.2.2 外形尺寸,中华人民共和国电子工业部!994-09-30发布 1994 12ー。1实施,SJ 50033.54-94,外形尺寸见图!c,型 号,ゼ,Tc工25匕,(W),%,(V),ピGS,(V),1U,(A),篁,(V),T?k,(V),CS0532 4.6 ￡3 -7 fees 175 -65-175,注:D Tc >25匕时,按3Q.6mWハ:线性降额,-2 -,SJ 50033.54-94,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.1最大额定值,3.3.2主要电特性（Ta=25匕）,、型号,极、,限、,Idss,Vds = 3V.,30V,(A),Igcft],U3V,Id = 50mA,(V),3-6V,/d6=0V,<2),gtn,Vds = 3V,1ロ = =0.5 loss,(mS),最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值,CS0532 0.5 1.4 -1.5 -5.5 一800 200 —,X符,X号,限、,值X,型 、ヾ,R (慌)j-C ァ 〇UdB) Gp{! 曲) 亨丒强,Pm = 3,2W,加热时间,100ms,(V/W),Vds=810Vf Id = 0.5 /qss,/pp = 8 ■ OGHs、Pj = 25dBm,(dBm) (dB) (%),最小值最大值最小值最大值最小值最大值标称值,CS0532 — 33 30 — 5 — 25,3.4 测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,本器件极性标志见图!?器件包装盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.1.1 关于结构相似器件抽样的规定,在同一生产线上,采用相同材料,相同工艺,同一套光刻掩模版（同一版上可有不同图形）,制造的CS0 529、CS0 530、CS0 531和CS0 532型器件,除A2、A3、A4、B3和B5分组外,相同芯,片批的器件可作为结构相似器件进行逐批检验;除C6分组外相同检验周期的器件可作为结,构相似器件进行周期检験。在这种情况下从某ー个型号或几个型号的器件中抽取的ー组样品,的试验结果,对这四个型号的器件均有效,4.2 鉴定检验,鉴定检験应按GJB 33的规定ふ,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予别除,3,SJ 50033.54-94,W 选,见GJB 33表2,试验方法,CJB 128方法,测试和试验,3热冲击（温度楣环）,7 ,中间渕试,8功率老化,9最后测试,1051,1039,-65セ.+ 15Q1C,【喝、Vgs（阈及1。轡,Tc =70t; Vas = 9.5V;F?= 3.2W,按本规范表1的A2分组;,ガ膜=初始值的±15%;,4Vcs（的=初始值的土 10%或0.5V,取大者;,1〇ssW40Q（iA,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行＜,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试脸方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.I 测试方法,直流参数测试按GB 4586相应方法或用晶体管图示仪测试,热阻及微波参数测试按本规,范附录的规定方法,表1 A组检验,检验或试验,GB 4586,方法,条 件LTPD 符号,极限丒值,単位,最小值戢大值,A!分组,外观及机械检験,GJB 128,2071,5,、丒,A2分组,V0s = 0时的……
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